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概述
CE3168是一种完全恒定的电流/单电池恒压线性充电器锂充电电池。没有外感
需要电阻器，并且不需要阻塞二极管由于内部P-MOSFET，因此需要
建筑学此外，CE3168是专为在USB电源中工作而设计规格。它的外部组件数很低
使CE3168非常适合便携式设备应用。热反馈调节充电电流，在充电过程中限制模具温度
高功率运行或高环境温度。充电电流可在外部编程用一个电阻器。CE3168自动启动
在充电结束时终止充电循环电流降至编程值的十分之三
达到终浮动电压后。当输入电源（墙壁适配器或USB电源）为如果CE3168已卸下，则会自动进入低电压
电源休眠模式，降低电池电量消耗电流小于2μA。CE3168可以放在进入关机模式，降低电源电流
至50微安。其他功能包括电池组温度监视器，欠压锁定，自动充电和两个状态引脚，用于指示
充电和充电终止。CE3168是提供热增强SOT封装。
石芯电子有限公司代理MILLERSEMI品牌（密勒半导体），供应穿戴产品应用的ESD与超小封装MOS管。
我们主力市场是ARM架构的智能硬件产品（平板，TWS耳机，手机，穿戴产品）
首推MLN1212（兼容SOT723封装）MOS产品/BJT 广泛应用智能硬件行业做信号切换，热阻小，可以支持2A电流，交货好。正三角形PAD分布比DFN1006-3更易贴片而不会侧立偏移。
主推DFN2*2 ,DFN1610 ,DFN1006,DFN0603全系列ESD/TVS/BJT/MOS/SBD 产品。DFN2*2 2mm*2mm*0.5mm,双NMOS/双PMOS 尺寸小散热好功耗低。
主推超小尺寸0201（0.6mm*0.3mm）/0402 ESD器件，节省尺寸，常规容值与低容值，用在耳机上做静电保护。VBUS接口加TVS通过 300V 8/20浪涌测试，保护充电管理芯片，我们可以提供完整的ESD系列产品
主推DFN1006-3 (1.0mm*0.6mm*0.5mm),封装超小尺寸集成ESD 2KV MOSFET,用在耳机上作为信号开关(电平转换），此外还有DFN1006封装NPN/PNP
主营穿戴产品应用的ESD与超小封装MOS管
1，充电二合一：ML2019T 手机功能机
3, ESD:MESD3V3SF10B,MESD3V3SF06B,MESD5V0UF10B,MESD5V0SF10B,MESD5V0UF10B/MESD5V0SF06B
4，浪涌TVS管： 7V/12V/15V/24V
穿戴产品应用的ESD与超小封装MOS管针对TWS行业推出多款以DFN2020、DFN1212、DFN1006（0402）、DFN0603（0201）为代表的小尺寸封装 BJT、MOS、SBD、ZENER、TVS、ESD系列产品，典型高度0.5mm。比传统SOT23、SOT523、SOT723等封装尺寸更小，MSD湿敏等级更高（穿戴产品敏感参数），功率密度更高，MOS(Rdson)，SBD(VF)，BJT(Vces)，Vc (TVS/ESD)等参数更低。
由于DFN相对SOT系列封装是无引脚封装，寄生的阻抗、电感、电容更小（降低RC参数），更高速更灵敏实现信号的切换。
而超薄尺寸超小体积器件将有力支持体积偏大的TWS充电仓走向刀片式超薄尺寸。
此外Millersemi针对TWS低电压驱动工作情况推出了超低工作电压（1.8V驱动 N/P MOS）。
从引脚 SOT23、SOT323 和 SOT363 到分立式扁平无引脚 DFN2020、DFN1212 和 DFN1006。
我司可以提供ESD整改，TVS浪涌测试服务。穿戴产品应用的ESD与超小封装MOS管
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