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ML2019T的-30V-1A PNP低VCEsat组合在小信号（BISS）晶体管和60V 0.5A双极晶体管
该设备安装在一个小而超薄的外壳中安装设备（SMD）塑料封装。
规格特征
⚫ 高功率和电流处理能力
⚫ 高集电极电流能力-1A集成电路
⚫ 由于产生的热量较少，因此具有较高的能效
⚫ 高功率和电流处理能力
⚫ 较小的所需印刷电路板（PCB）
应用
⚫ 充电电路
⚫ 负荷开关
⚫ 电源管理
⚫ 电池驱动设备
⚫ PWM应用
⚫ 电源开关（如电机、风扇）
石芯电子有限公司代理MILLERSEMI品牌（密勒半导体），供应穿戴产品应用的ESD与超小封装MOS管。
我们主力市场是ARM架构的智能硬件产品（平板，TWS耳机，手机，穿戴产品）
首推MLN1212（兼容SOT723封装）MOS产品/BJT 广泛应用智能硬件行业做信号切换，热阻小，可以支持2A电流，交货好。正三角形PAD分布比DFN1006-3更易贴片而不会侧立偏移。
主推DFN2*2 ,DFN1610 ,DFN1006,DFN0603全系列ESD/TVS/BJT/MOS/SBD 产品。DFN2*2 2mm*2mm*0.5mm,双NMOS/双PMOS 尺寸小散热好功耗低。
主推超小尺寸0201（0.6mm*0.3mm）/0402 ESD器件，节省尺寸，常规容值与低容值，用在耳机上做静电保护。VBUS接口加TVS通过 300V 8/20浪涌测试，保护充电管理芯片，我们可以提供完整的ESD系列产品
主推DFN1006-3 (1.0mm*0.6mm*0.5mm),封装超小尺寸集成ESD 2KV MOSFET,用在耳机上作为信号开关(电平转换），此外还有DFN1006封装NPN/PNP
主营穿戴产品应用的ESD与超小封装MOS管
1，充电二合一：ML2019T 手机功能机
3、ESD:MESD3V3SF10B,MESD3V3SF06B,MESD5V0UF10B,MESD5V0SF10B,MESD5V0UF10B/MESD5V0SF06B
4，浪涌TVS管： 7V/12V/15V/24V穿戴产品应用的ESD与超小封装MOS管针对TWS行业推出多款以DFN2020、DFN1212、DFN1006（0402）、DFN0603（0201）为代表的小尺寸封装 BJT、MOS、SBD、ZENER、TVS、ESD系列产品，典型高度0.5mm。比传统SOT23、SOT523、SOT723等封装尺寸更小，MSD湿敏等级更高（穿戴产品敏感参数），功率密度更高，MOS(Rdson)，SBD(VF)，BJT(Vces)，Vc (TVS/ESD)等参数更低。由于DFN相对SOT系列封装是无引脚封装，寄生的阻抗、电感、电容更小（降低RC参数），更高速更灵敏实现信号的切换。而超薄尺寸超小体积器件将有力支持体积偏大的TWS充电仓走向刀片式超薄尺寸。此外Millersemi针对TWS低电压驱动工作情况推出了超低工作电压（1.8V驱动 N/P MOS）。从引脚 SOT23、SOT323 和 SOT363 到分立式扁平无引脚 DFN2020、DFN1212 和 DFN1006。
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